MRF5943C

更新时间： 2024-02-14 20:59:08

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
页数	文件大小	规格书
6页	147K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF5943C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	25	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

MRF5943C 数据手册

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

*G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

•

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective MacroX Package

Macro X

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

MRF581

MRF581A

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

Derate above 50ºC

2.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

Storage Junction Temperature Range

Tstg

-65 to +150

150

ºC

Maximum Junction Temperature

T_Jmax

Revision A- December 2008

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at www.microsemi.com or contact our factory direct.

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MRF5943C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF5943G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF5943R1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF5943R1	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5943R1G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF5943R2	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5943R2G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF5AMMO	BEL	获取价格	Electric Fuse, Fast Blow, 5A, 35A (IR), MICRO,
MRF5P20180	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P20180HR6	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF5P20180HR6_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET