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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MRF586 | MICROSEMI |
功能相似  |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| BFQ19 | NXP |
功能相似 |
NPN 5 GHz wideband transistor |
|
| BFG135 | NXP |
功能相似 |
NPN 7GHz wideband transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF581AG | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin Macro-X |
|
| MRF581G | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| MRF581M | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X |
|
| MRF5836HX | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
|
| MRF5836HXV | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
|
| MRF586 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| MRF586 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| MRF586 | ADPOW |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| MRF587 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| MRF587 | FREESCALE |
获取价格 |
HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON |
|
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