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MRF5P20180HR6

更新时间： 2024-02-05 23:27:37
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 364K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRF5P20180HR6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：5A991
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：530 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF5P20180HR6 数据手册

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MRF5P20180HR6  
Rev. 0, 12/2004  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistor  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET  
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 1930  
to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.  
To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.  
MRF5P20180HR6  
• Typical 2-carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 2 x  
800 mA, Pout = 38 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =  
3.84 MHz, Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain — 14 dB  
1990 MHz, 38 W AVG., 28 V  
2 x W-CDMA  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFET  
Drain Efficiency — 26%  
IM3 @ 10 MHz Offset — -37.5 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth  
ACPR @ 5 MHz Offset — -41 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 120 Watts CW  
Output Power  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation  
• Integrated ESD Protection  
• Lower Thermal Resistance Package  
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.  
• In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
CASE 375D-05, STYLE 1  
NI-1230  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-0.5, +65  
-0.5, +15  
DSS  
V
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
530  
3.0  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
CW Operation  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
W
stg  
T
J
CW  
120  
Table 2. Thermal Characteristics  
(1)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Case Temperature 77°C, 120 W CW  
Case Temperature 72°C, 38 W CW  
R
θ
JC  
°C/W  
0.33  
0.35  
1. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2004. All rights reserved.  
 
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