是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.92 |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 基于收集器的最大容量: | 3.5 pF |
集电极-发射极最大电压: | 10 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 25 | 最高频带: | L BAND |
JEDEC-95代码: | TO-46 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 0.75 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.75 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 2000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF5836HXV | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 | |
MRF586 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF586 | ASI |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | |
MRF586 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF587 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
MRF587 | FREESCALE |
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HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF587 | MOTOROLA |
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HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF587 | TE |
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The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz | |
MRF587 | MACOM |
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Bipolar | |
MRF5943 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |