MRF5P21180

更新时间： 2024-01-29 13:56:29

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N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

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MRF5P21180 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	Single
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	437.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
Base Number Matches：	1

MRF5P21180 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF5P21180/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET

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ꢙ

ꢚ

Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110

to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

2170 MHz, 180 W AVG.,

2 x W–CDMA, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFET

• Typical 2–carrier W–CDMA Performance for V_DD= 28 Volts,

I_DQ= 2 x 800 mA, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz,

Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Adjacent Channels Measured over

3.84 MHz BW @ f1 – 5 MHz and f2 + 5 MHz. Distortion Products

Measured over a 3.84 MHz BW @ f1 – 10 MHz and f2 + 10 MHz,

Each Carrier Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Output Power — 38 Watts Avg.

Power Gain — 14 dB

Efficiency — 25.5%

IM3 — 37.5 dBc

ACPR — –41 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 375D–04, STYLE 1

NI–1230

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 180 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

437.5

2.5

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 0

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF5P21180

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...9

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