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MRF5P21045NR1

更新时间： 2024-01-07 02:14:17
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
11页 416K
描述
RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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MRF5P21045NR1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-270
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.36
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDFM-F4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

MRF5P21045NR1 数据手册

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Document Number: MRF5P21045N  
Rev. 0, 4/2007  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field-Effect Transistor  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET  
MRF5P21045NR1  
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110  
to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica-  
tions. Dual path topology suitable for Doherty, quadrature, single-ended and  
push-pull applications.  
• Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 500 mA,  
2110-2170 MHz, 10 W AVG., 28 V  
2 x W-CDMA, DUAL PATH  
LATERAL N-CHANNEL  
P
out = 10 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz,  
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain — 14.5 dB  
Drain Efficiency — 25.5%  
IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth  
ACPR @ 5 MHz Offset — -39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth  
RF POWER MOSFET  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 45 Watts CW Output  
Power  
Features  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation  
• Integrated ESD Protection  
CASE 1486-03, STYLE 1  
TO-270 WB-4  
• 200°C Capable Plastic Package  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.  
RF /V  
RF /V  
outA DSA  
3
4
2
1
inA GSA  
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
(Top View)  
Note: Exposed backside of the package is  
the source terminal for the transistors.  
Figure 1. Pin Connections  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
- 0.5, +65  
- 0.5, +15  
- 65 to +150  
200  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
V
DSS  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
T
°C  
J
Table 2. Thermal Characteristics  
(1,2)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
°C/W  
Case Temperature 80°C, 45 W CW  
Case Temperature 77°C, 10 W CW  
1.35  
1.48  
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF  
calculators by product.  
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2007. All rights reserved.  
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