是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.36 |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
基于收集器的最大容量: | 3 pF | 集电极-发射极最大电压: | 18 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 50 |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | O-PRDB-F4 |
JESD-609代码: | e1 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 5000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MRF581 | MICROSEMI |
类似代替 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF581 | ASI |
功能相似 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF581M | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X | |
MRF5836HX | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 | |
MRF5836HXV | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 | |
MRF586 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF586 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | |
MRF586 | ADPOW |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF587 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
MRF587 | FREESCALE |
获取价格 |
HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF587 | MOTOROLA |
获取价格 |
HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF587 | TE |
获取价格 |
The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz |