MRF5812

更新时间： 2024-02-07 07:28:47

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF5812 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	2 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz

MRF5812 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF5812, R1, R2

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective SO-8 package

SO-8

R1 suffix–Tape and Reel, 500 units

R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

MSC1319.PDF 10-25-99

12 3 4 5

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MRF5812 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF587	MACOM	功能相似	Bipolar
BFQ19	NXP	功能相似	NPN 5 GHz wideband transistor
BFG135	NXP	功能相似	NPN 7GHz wideband transistor

与MRF5812相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF5812G	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812MR1	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC
MRF5812R1	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812R1G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF5812R2	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812R2G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF581A	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF581A	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF581A	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin Macro-X
MRF581AG	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin Macro-X