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MRF5812G

更新时间： 2024-02-11 05:31:43

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ADPOW		射频微波
页数	文件大小	规格书
5页	125K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF5812G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	2 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz

MRF5812G 数据手册

MRF5812, R1, R2

MRF5812G, R1, R2

* G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish

Features

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective SO-8 package

SO-8

R1 suffix–Tape and Reel, 500 units

R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

Rev A 9/2005

12 3 4 5

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与MRF5812G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRF5812R1G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF5812R2	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812R2G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
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