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MRF421

更新时间： 2024-09-13 10:47:31

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF421 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	290 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

MRF421 数据手册

MRF421

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF421 is Designed for

High linear amplifier applications from

2.0 to 30 MHZ.

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

.112x45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

• P_G= 12 dB min. at 100 W/30 MHz

• IMD₃= -30 dBc max. at 100 W^(PEP)

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

I_C

20 A

45 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.230 / 5.84

.125 / 3.18

20 V

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

3.0 V

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

290 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.6 °C/W

T_STG

θ_JC

.980 / 24.89

ORDER CODE: ASI10824

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

4.0

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

_CE= 16 V

_CE= 5.0 V

---

h_FE

I_C= 5.0 A

200

C_OB

_CB= 12.5 V

f = 1.0 MHz

650

V_CE= 12.5 V

I_CQ= 150 mA

f = 30 MHz

P_OUT= 100 W

G_P

IMD₃

η_C

dBc

-30

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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