MRF426

更新时间： 2024-09-13 10:47:31

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2页	249K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF426 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
基于收集器的最大容量：	80 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF426 数据手册

MRF426

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF426 is Designed for

high gain amplifier applications up to

30 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

.112 x 45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

• P_G= 22 dB min. at 25 W/30 MHz

• IMD₃= -30 dBc max. at 25 W(PEP)

• Omnigold™ Metalization System

• Available as matched pairs.

.125

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

I_C

3.0 A

65 V

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

35 V

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

4.0 V

70 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

2.5 °C/W

.240 / 6.10

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

4.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

200

C_OB

V_CB= 30 V

V_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

P_OUT= 25 W _(PEP)f = 30 MHz

G_P

η_C

IMD₃

-30

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF426A	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
MRF427	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF427	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-S
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