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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF429
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MRF429

更新时间： 2024-11-17 22:51:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 145K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF429 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.06
Is Samacsys：N其他特性：DIFFUSED BALLAST RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：16 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：O-CRFM-F4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：233 W最大功率耗散 (Abs)：320 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF429 数据手册

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by MRF429/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed primarily for high–voltage applications as a high–power linear  
amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment.  
•
Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 150 W (PEP)  
Minimum Gain = 13 dB  
150 W (LINEAR), 30 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Efficiency = 45%  
•
Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —  
IMD = –32 dB (Max)  
•
•
Diffused Emitter Resistors for Superior Ruggedness  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
@ 150 W CW  
CASE 211–11, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
100  
4.0  
16  
Collector Current — Continuous  
Withstand Current — 10 s  
I
C
—
20  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
233  
1.33  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.75  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 200 mAdc, I = 0)  
V
(BR)CEO  
50  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, V  
BE  
= 0)  
V
100  
100  
4.0  
C
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, I = 0)  
V
V
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
(continued)  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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MRF429 替代型号

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