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MRF433

更新时间: 2024-09-14 21:53:31
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN SILICONS

MRF433 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.49
最大集电极电流 (IC):2.5 A基于收集器的最大容量:120 pF
集电极-发射极最大电压:18 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-30 代码:O-CRFM-F4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:20 W
最大功率耗散 (Abs):20 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF433 数据手册

 浏览型号MRF433的Datasheet PDF文件第2页 

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