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MRF448

更新时间： 2024-11-04 22:51:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF448 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.41最大集电极电流 (IC)：16 A
基于收集器的最大容量：450 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：O-CRFM-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：290 W
最大功率耗散 (Abs)：400 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF448 数据手册

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by MRF448/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed primarily for high–voltage applications as a high–power linear  
amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment.  
•
Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics  
Output Power = 250 W  
250 W, 30 MHz  
Minimum Gain = 12 dB  
Efficiency = 45%  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
Intermodulation Distortion @ 250 W (PEP) —  
IMD = –30 dB (Max)  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 3:1 VSWR  
CASE 211–11, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
100  
4.0  
16  
Collector Current — Continuous  
Withstand Current — 10 s  
I
C
—
20  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
290  
1.67  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.6  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 200 mAdc, I = 0)  
V
(BR)CEO  
50  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, V  
BE  
= 0)  
V
100  
100  
4.0  
C
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, I = 0)  
V
V
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
NOTE:  
1. P is a measurement reflecting short term maximum condition. See SOAR curve for operating conditions.  
(continued)  
D
Motorola, Inc. 1994  
123456

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