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MRF428

更新时间： 2024-11-04 22:51:07

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泰科 - TE		晶体晶体管射频局域网
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5页	631K
描述
The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

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MRF428 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF428 数据手册

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by MRF428/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

NPN Silicon

MRF428

RF Power Transistor

Designed primarily for high-voltage applications as a high-power linear

amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment.

· Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics —

Output Power = 150 W (PEP)

Minimum Gain = 13 DB

150 W (PEP), 30 MHz

RF POWER

TRANSISTOR

NPN SILICON

Efficiency = 45%

· Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —

IMD = -32 db (Max)

· 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

@ 150 W CW

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

110

4.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current — Continuous

Withstand Current — 10 s

—

Total Device Dissipation @ T_C= 25 °C

Derate above 25 °C

P_D

320

1.83

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

T_stg

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.5

°C/W

R_qJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25 °C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CES

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

110

4.0

—

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I_C= 200 mAdc, I_B= 0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I_C= 100 mAdc, V_BE= 0)

Collector-Base Breakdown Voltage (I_C= 100 mAdc, I_E= 0)

Emitter-Base Breakdown Voltage (I_E= 10 mAdc, I_C= 0)

Vdc

(continued)

12 3 4 5

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