MRF4427

更新时间： 2024-11-18 10:47:27

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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MRF4427 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1600 MHz
Base Number Matches：	1

MRF4427 数据手册

MRF4427

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE

The ASI MRF4427 is Designed for

General Purpose Amplifier and

Oscillator in VHF and UHF

applications.

MAXIMUM RATINGS

400 mA

20 V

I_C

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_DISS

T_J

40 V

4.0 V

1.5 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +150 °C

125 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5.0 mA

I_E= 100 µA

BV_CER

BV_EBO

I_CEO

R_BE= 10 Ω

2.0

V_CB= 12 V

µA

_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA

I_C= 360 mA

I_B= 20 mA

200

h_FE

---

5.0

I_C= 50 mA

V_CE(sat)

C_OB

V_CB= 12 V

f = 1.0 MHz

f = 200 MHz

3.0

V_CE= 12 V

I_C= 50 mA

1600

f_t

G_pe

MHz

V_CC= 12 V

P_OUT= 1.0 W

P_IN= 15 mW

I_C= 50 mA

f = 175 MHz

16.4

S₂₁

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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