MRF450A

更新时间： 2024-11-18 10:47:27

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ASI		晶体晶体管功率双极晶体管射频放大器
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1页	28K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF450A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, R-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	7.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF450A 数据手册

MRF450A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF450A is Designed for

12.5 Volt Power Amplifier Applications

up to 30 MHz.

PACKAGE STYLE .500" 4L STUD

45°

FEATURES INCLUDE:

• P_OUT= 50 W

• P_G= 11 dB Min. @ 30MHz & 50W

• Efficiency 50%

ØC

SEATING

PLANE

MAXIMUM RATINGS

7.5 A

40 V

I_C

#10-32 UNF

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

20 V

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.160 / 4.06

1.050 / 26.67

.230 / 5.84

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.180 / 4.57

4.0 V

115 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.53 °C/W

.622 / 15.80

.720 / 18.29

.100 / 2.54

.130 / 3.31

.415 / 10.54

.425 / 10.80

T_STG

θ_JC

.250 / 6.35

.290 / 7.37

1 = COLLECTOR

2 = BASE

3 & 4 = EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 20 mA

I_C= 100 mA

I_C= 20 mA

I_E= 10 mA

4.0

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

_CE= 5.0 V

_CB= 15 V

I_C= 1.0 A

---

f = 1.0 MHz

f = 30 MHz

200

C_OB

V_CC= 13.6

P_OUT= 50 W

G_PE

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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