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MRF455

更新时间： 2024-09-15 22:51:07
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页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF455 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
其他特性：MATCHED PAIR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF455 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF455/D  
The RF Line  
NP N S ilic on  
M
R
F
4
5
5
R
F
P
o
w
e
r
Tr ans is to r  
. . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and  
amateur radio equipment to 30 MHz.  
•
Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 60 Watts  
60 W, 30 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Minimum Gain = 13 dB  
Efficiency = 55%  
MATCHING PROCEDURE  
In the push–pull circuit configuration it is preferred that the transistors are  
used as matched pairs to obtain optimum performance.  
The matching procedure used by M/A-COM consists of measuring hFE at the  
data sheet conditions and color coding the device to predetermined hFE ranges  
within the normal hFE limits. A color dot is added to the marking on top of the cap.  
Any two devices with the same color dot can be paired together to form a  
matched set of units.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
18  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CES  
V
EBO  
36  
4.0  
15  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
175  
1.0  
Watts  
W/°C  
C
CASE 211–07, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.0  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
18  
36  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
4.0  
(BR)EBO  
E
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 5.0 Adc, V = 5.0 Vdc)  
C
h
10  
—
—
—
150  
250  
—
FE  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
C
pF  
ob  
(V = 12.5 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
CB  
E
(continued)  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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