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MRF4427R1

更新时间: 2024-11-17 22:11:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 171K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

MRF4427R1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, SO-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.4 A
基于收集器的最大容量:3.4 pF集电极-发射极最大电压:20 V
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):5
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0端子数量:8
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1300 MHzBase Number Matches:1

MRF4427R1 数据手册

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140 COMMERCE DRIVE  
MONTGOMERYVILLE, PA  
18936-1013  
PHONE: (215) 631-9840  
FAX: (215) 631-9855  
MRF4427, R1, R2  
RF & MICROWAVE DISCRETE  
LOW POWER TRANSISTORS  
Features  
·
·
·
·
·
Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.  
S-Parameter Characterization  
Tape and Reel Packaging Options Available  
Low Voltage Version of MRF3866  
SO-8  
Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz  
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units  
R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units  
DESCRIPTION: Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as; pre-drivers, Oscillators, etc.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
2.0  
400  
Thermal Data  
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25ºC  
Derate above 25ºC  
1.5  
12.5  
Watts  
mW/ ºC  
T
Storage Temperature  
stg  
-65 to + 150  
125  
ºC  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
qJA  
ºC/W  
MSC1313.PDF 10-25-99  

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