MRF4427

更新时间： 2024-09-15 04:14:39

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ADPOW		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF4427 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	3.4 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1300 MHz	Base Number Matches：	1

MRF4427 数据手册

MRF4427, R1, R2

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.

S-Parameter Characterization

Tape and Reel Packaging Options Available

Low Voltage Version of MRF3866

SO-8

Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz

R1 suffix–Tape and Reel, 500 units

R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units

DESCRIPTION: Designed for general-purpose RF amplifier applications,

such as; pre-drivers, Oscillators, etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.0

400

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.5

12.5

Watts

mW/ ºC

Storage Temperature

stg

-65 to + 150

125

ºC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

qJA

ºC/W

MRF4427.PDF 4-24-03

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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