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MRF426 PDF预览

MRF426

更新时间： 2024-10-31 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 116K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF426 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.43Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A基于收集器的最大容量：80 pF
集电极-发射极最大电压：35 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：O-CRFM-F4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：70 W最大功率耗散 (Abs)：70 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF426 数据手册

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by MRF426/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed for high gain driver and output linear amplifier stages in 1.5 to  
30 MHz HF/SSB equipment.  
•
Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 25 W (PEP)  
Minimum Gain = 22 dB  
25 W (PEP), 30 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Efficiency = 35%  
•
Intermodulation Distortion @ 25 W (PEP) —  
IMD = –30 dB (Max)  
•
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Class A and AB Characterization  
BLX 13 Equivalent  
CASE 211–07, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
4.0  
3.0  
6.0  
Collector Current — Continuous  
Withstand Current — 5 s  
I
C
—
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
70  
0.4  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
2.5  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, I = 0)  
V
V
V
35  
65  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
= 28 Vdc, V  
= 0)  
I
CES  
mAdc  
CE  
BE  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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MRF426 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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