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MRF426

更新时间： 2024-09-12 22:51:07
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 173K
描述
The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

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MRF426 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：35 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF426 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF426/D  
The RF Line  
NP N S ilic on  
M
R
F
4
2
6
R
F
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
. . . designed for high gain driver and output linear amplifier stages in 1.5 to  
30 MHz HF/SSB equipment.  
•
Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 25 W (PEP)  
Minimum Gain = 22 dB  
25 W (PEP), 30 MHz  
RF POWER  
Efficiency = 35%  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
Intermodulation Distortion @ 25 W (PEP) —  
IMD = –30 dB (Max)  
•
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Class A and AB Characterization  
BLX 13 Equivalent  
CASE 211–07, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
4.0  
3.0  
6.0  
Collector Current — Continuous  
Withstand Current — 5 s  
I
C
—
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
P
D
70  
Watts  
C
Derate above 25°C  
0.4  
W/°C  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.5  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, I = 0)  
V
V
V
35  
65  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V = 28 Vdc, V = 0)  
I
CES  
mAdc  
CE  
BE  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF426A MOTOROLA

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
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