5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MRF426
MRF426 PDF预览

MRF426

更新时间： 2024-10-31 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 173K
描述
The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

MRF426 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：35 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF426 数据手册

 浏览型号MRF426的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF426的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF426的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF426的Datasheet PDF文件第5页 
Order this document  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF426/D  
The RF Line  
NP N S ilic on  
M
R
F
4
2
6
R
F
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
. . . designed for high gain driver and output linear amplifier stages in 1.5 to  
30 MHz HF/SSB equipment.  
•
Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 25 W (PEP)  
Minimum Gain = 22 dB  
25 W (PEP), 30 MHz  
RF POWER  
Efficiency = 35%  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
Intermodulation Distortion @ 25 W (PEP) —  
IMD = –30 dB (Max)  
•
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Class A and AB Characterization  
BLX 13 Equivalent  
CASE 211–07, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
4.0  
3.0  
6.0  
Collector Current — Continuous  
Withstand Current — 5 s  
I
C
—
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
P
D
70  
Watts  
C
Derate above 25°C  
0.4  
W/°C  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.5  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, I = 0)  
V
V
V
35  
65  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V = 28 Vdc, V = 0)  
I
CES  
mAdc  
CE  
BE  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与MRF426相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF426A MOTOROLA

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
MRF427 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF427 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-S
MRF427A MOTOROLA

获取价格

 		6A, 65V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MRF428 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF428 TE

获取价格

 		The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
MRF428 MACOM

获取价格

 		Bipolar
MRF429 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF429 MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF429 TE

获取价格

 		RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

与MRF426相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证