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MRF422

更新时间： 2024-09-12 22:24:11
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

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MRF422 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF422 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF422/D  
The RF Line  
NP N S ilic on  
M
R
F
4
2
2
R
F
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
Designed primarily for applications as a high–power linear amplifier from 2.0  
to 30 MHz.  
•
Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 150 W (PEP)  
Minimum Gain = 10 dB  
150 W (PEP), 30 MHz  
RF POWER  
Efficiency = 40%  
TRANSISTORS  
NPN SILICON  
•
•
Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —  
IMD = –30 dB (Min)  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
CASE 211–11, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
85  
Emitter–Base Voltage  
3.0  
20  
Collector Current — Continuous  
Withstanding Current — 10 s  
I
C
—
30  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
290  
Watts  
C
Derate above 25°C  
1.66  
W/°C  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
0.6  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 200 mAdc, I = 0)  
V
(BR)CEO  
35  
85  
85  
3.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20  
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, V = 0)  
V
C
BE  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, I = 0)  
V
V
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V = 28 Vdc, V = 0, T = 25°C)  
I
CES  
mAdc  
(continued)  
CE  
BE  
C
REV 6  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF422MP ASI

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