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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDT5551HE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn; |
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| MMDT5551L-AL6-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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| MMDT5551Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-363 |
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| MMDT5551-T | MCC |
获取价格 |
Transistor |
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| MMDT5551-TP | MCC |
获取价格 |
Plastic-Encapsulate Transistors |
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| MMDT5551-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGE |
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| MMDT5N431 | SWST |
获取价格 |
数字三极管 |
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| MMDT5P333 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| MMDT8050S | UTC |
获取价格 |
LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| MMDT8050SG-AL6-R | UTC |
获取价格 |
LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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