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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 324 mJ |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF2C03HDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual |
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| MMDF2C05E | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MMDF2C05ER1 | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 751B-05, SO-16 |
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| MMDF2C05ER2 | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 751B-05, SO-16 |
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| MMDF2N02E | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS MOSFET 3.6 AMPERES 25 VOLTS |
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| MMDF2N02E | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2N02ER1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MMDF2N02ER2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2N02ER2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MMDF2N02ER2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
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