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MMBT5551LT1 PDF预览

MMBT5551LT1

更新时间： 2024-10-02 12:06:03
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永而佳 - WINNERJOIN 晶体晶体管
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2页 153K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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MMBT5551LT1 数据手册

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RoHS  
M M B T 5 5 5 1 L T 1  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
SOT-23  
3
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
Collector Dissipation:Pc-225mW(Ta=25o)  
1
Collector-Emiller Voltage:VCEO=160V  
2
1.  
1.BASE  
2.EMITTER  
2.4  
1.3  
3.COLLECTOR  
Unit:mm  
(Ta=25oC)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Rating  
Unit  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
180  
160  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
mA  
Ic  
600  
Collector Dissipation Ta=25oC*  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
T
T
D
mW  
225  
O C  
O C  
j
150  
stg  
-55~150  
(Ta=25oC)  
Electrical Characteristics  
Parameter  
Symbol MIN. TYP.MAX. Unit  
Condition  
V
V
180  
160  
6
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
I
I
I
C
C
E
=100 A I =0  
E
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage#  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
DC Current Gain  
=1mA I  
=10 A I  
B
=0  
V
C
=0  
I
I
CBO  
50  
50  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
CB=120V, V =0  
C
EBO  
CB=4V, I  
CE=5V, I  
CE=5V, I  
CE=5V, I  
C
C
C
C
=0  
=1mA  
h
h
h
FE1  
FE2  
FE3  
80  
80  
30  
DC Current Gain  
=-10mA  
=50mA  
DC Current Gain  
250  
0.5  
0.15  
1
V
V
V
V
CE(sat)  
CE(sat)  
BE(sat)  
BE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
V
I
I
I
I
C
C
C
C
=50mA, I  
=10mA, I  
=50mA, I  
=10mA, I  
B
B
B
B
=5mA  
=1mA  
=1mA  
=1mA  
V
V
1
V
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD  
Current Gain-Bandwidth Product  
f
T
MHz  
100  
300  
V
CE=10V, I =10mA,f=100MHz  
C
*Total Device Dissipation:FR=1X0.75X0.062 in Board Derate 25oC  
# Pulse Test: Pulse Width 300uS Duty cycle 2%  
DEVICE MARKING:  
2N5551S=Z1  
Http:// www.wej.cn  
E-mail:wej@yongerjia.com  
WEJ ELECTRONIC CO.  
12

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与MMBT5551LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5551LT1_15 WINNERJOIN

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MMBT5551LT1G ONSEMI

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 		High Voltage Transistors
MMBT5551LT3G ONSEMI

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