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MMBT5551LT1

更新时间： 2024-01-22 23:52:46

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AVICTEK		晶体晶体管
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1页	35K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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MMBT5551LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.6
Samacsys Description：	NULL	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.2 V

MMBT5551LT1 数据手册

@vic SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

MMBT5551LT1 TRANSISTOR (NPN)

SOT-23

1. BASE

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM:

0.3

W (Tamb=25℃)

2. 4

1. 3

Collector current

I_CM:

0.6

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

180

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

180

160

Ic= 100µA, I_E=0

Ic= 0.1mA, I_B=0

I_E= 100µA, I_C=0

V_CB=180V, I_E=0

0.1

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 4V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE= 5V, I_C= 1mA

V_CE= 5V, I_C=10mA

V_CE= 5V, I_C=50mA

I_C=50 mA, I_B= 5mA

I_C= 50 mA, I_B= 5mA

V_CE=10V, I_C= 10mA, f=100MHz

DC current gain

h_FE(2)

250

h_FE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

0.5

MHz

DEVICE MARKING

MMBT5551LT1=G1

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