5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222A-TP-HF
MMBT2222A-TP-HF PDF预览

MMBT2222A-TP-HF

更新时间： 2024-11-18 13:11:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器晶体管开关光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
4页 220K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT2222A-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222A-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMBT2222A-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222A-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222A-TP-HF的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT2222A  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Surface Mount SOT-23 Package  
•
Capable of 350mWatts of Power Dissipation, IC=600mA  
NPN General  
Purpose Amplifier  
•
•
•
•
x
•
Operating and Storage Junction Temperature: -55°C to +150°C  
Thermal resistance,Junction to Ambient:500oC/W  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Marking:1P  
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P"Suffix designates Compliant)  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
SOT-23  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
C
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
40  
75  
Vdc  
Vdc  
B
C
E
B
6.0  
Vdc  
F
E
10  
nAdc  
(VCE=60Vdc, VBE=3.0Vdc)  
ON CHARACTERISTICS  
H
G
J
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=0.1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
35  
50  
75  
100  
50  
40  
K
DIMENSIONS  
MM  
300  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
VCE(sat)  
0.3  
1.0  
Vdc  
Vdc  
F
VBE(sat)  
G
H
J
0.6  
1.2  
2.0  
.085  
.37  
K
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
Suggested Solder  
Pad Layout  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=20mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
300  
MHz  
pF  
Cobo  
Cibo  
NF  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Input Capacitance  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
.031  
.800  
8.0  
25  
.035  
.900  
pF  
.079  
2.000  
inches  
mm  
4.0  
dB  
(IC=100µAdc, VCE=10Vdc, RS=1.0kΩ  
f=1.0kHz)  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=30Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=150mAdc, IB1=15mAdc)  
(VCC=30Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
10  
25  
225  
60  
ns  
ns  
ns  
ns  
.037  
.950  
tr  
ts  
tf  
.037  
.950  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

中文翻译

下载PDF

MMBT2222A-TP-HF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT2222AQ-7-F DIODES

类似代替

 40V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A-13-F DIODES

类似代替

 40V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AK FAIRCHILD

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Transistor

与MMBT2222A-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT2222ATRL NXP

获取价格

 		暂无描述
MMBT2222ATS MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMBT2222ATT1 WILLAS

获取价格

 		General Purpose Transistor
MMBT2222ATT1 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistor
MMBT2222ATT1_10 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistor
MMBT2222ATT1G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistor
MMBT2222ATT3G ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Junction Transistor
MMBT2222ATTD ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistor
MMBT2222AT-TP MCC

获取价格

 		NPN General Purpose Amplifier
MMBT2222AT-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN

与MMBT2222A-TP-HF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证