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MMBT2222AW

更新时间： 2024-02-11 15:05:18

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强茂 - PANJIT		晶体开关晶体管光电二极管通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

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MMBT2222AW 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	285 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT2222AW 数据手册

DATA SHEET

MMBT2222AW

NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

Unit: inch (mm)

SOT-323

150 mWatts

POWER

40 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• NPN epitaxial silicon, planar design

• Collector-emitter voltage VCE = 40V

• Collector current IC = 600mA

.087(2.2)

.070(1.8)

.054(1.35)

.045(1.15)

• Both normal and Pb free product are available :

Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb

Pb free: 98.5% Sn above

.006(.15)

.002(.05)

.056(1.40)

.047(1.20)

MECHANICALDATA

.004(.10)MAX.

Case: SOT-323, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx. Weight: 0.0052 gram

.016(.40)

.078(.20)

Marking: M2A

Top View

COLLECTOR

Collector

BASE

Base

Emitter

EMITTER

ABSOLUTE RATINGS

PARAM ETER

Sym bol

Value

Units

C ollector-Em itterVoltage

C ollector-Base Voltage

Em itter-Base Voltage

C EO

C BO

EBO

6.0

600

C ollectorC urrent-C ontinuous

m A

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

Symbol

Value

150

Units

Max Power Dissipation (Note 1)

PTOT

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction Temperature

Rθ^JA

833

^OC/W

^OC

-55 to 150

Storage Temperature

TI^STG

^OC

Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

STAD-JUL.06.2004

PAGE . 1

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