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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222AWT1
MMBT2222AWT1 PDF预览

MMBT2222AWT1

更新时间： 2024-11-07 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
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4页 76K
描述
General Purpose Transistor

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MMBT2222AWT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.04
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
基于收集器的最大容量：8 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.15 W
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

MMBT2222AWT1 数据手册

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by MMBT2222AWT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
NPN Silicon  
These transistors are designed for general purpose amplifier applica-  
tions. They are housed in the SOT–323/SC–70 package which is  
designed for low power surface mount applications.  
COLLECTOR  
3
3
1
1
BASE  
2
2
CASE 419–02, STYLE 3  
SOT–323/SC–70  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
75  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
6.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
600  
mAdc  
C
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
150  
mW  
T
= 25°C  
A
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
833  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT2222AWT1 = 1P  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
40  
75  
6.0  
—
—
—
—
20  
10  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Base Cutoff Current  
(V = 60 Vdc, V  
I
nAdc  
nAdc  
BL  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
EB  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 60 Vdc, V  
EB  
I
—
CEX  
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997
1234

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MMBT2222AWT1 替代型号

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