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MMBT2222LT1

更新时间： 2024-11-17 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 205K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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MMBT2222LT1 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：30
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

MMBT2222LT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
GeneralPurposeTransistors  
NPN Silicon  
3
COLLECTOR  
MMBT2222LT1  
MMBT2222ALT1  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
2222  
30  
2222A  
40  
Unit  
Vdc  
2
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
60  
75  
Vdc  
5.0  
600  
6.0  
Vdc  
600  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
PD  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
TJ , Tstg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
MMBT2222LT1 = M1B; MMBT2222ALT1 = 1P;  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I C = 10 mAdc, I B = 0)  
MMBT2222  
V (BR)CEO  
30  
40  
—
Vdc  
Vdc  
MMBT2222A  
––  
Collector–Base Breakdown Voltage  
MMBT2222  
V (BR)CBO  
60  
—
(I C = 10 µAdc, I E = 0)  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I E = 10 µAdc, I C = 0)  
MMBT2222A  
MMBT2222  
MMBT2222A  
MMBT2222A  
75  
5.0  
6.0  
—
V (BR)EBO  
I CEX  
—
––  
10  
Vdc  
nAdc  
µAdc  
Collector Cutoff Current  
( V CE = 60 Vdc, I EB(off) = 3.0Vdc)  
Collector Cutoff Current  
I CBO  
(V CB = 50 Vdc, I E = 0)  
MMBT2222  
MMBT2222A  
MMBT2222  
MMBT2222A  
––  
––  
––  
––  
0.01  
0.01  
10  
(V CB = 60 Vdc, I E = 0)  
(V CB = 50 Vdc, I E = 0, T A = 125°C)  
(V CB = 60 Vdc, I E = 0, T A = 125°C)  
Emitter Cutoff Current  
10  
(V EB = 3.0 Vdc, I C = 0)  
MMBT2222A  
MMBT2222A  
I EBO  
I BL  
—
—
100  
20  
nAdc  
nAdc  
Base Cutoff Current  
(V CE = 60 Vdc, V EB(off) = 3.0 Vdc)  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
O4–1/5  
12345

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