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MMBT2222Q

更新时间： 2024-01-21 01:15:00
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 252K
描述
General Purpose Transistor

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MMBT2222Q 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222Q 数据手册

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MMBT2222Q  
NPN Silicon  
General Purpose Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
SOT-89  
ꢁ
ꢂ
1.BASE  
D
ꢀ
ꢃ
Dimensions In Millimeters  
Symbol  
Dimensions In Inches  
2.COLLECTOR  
D1  
A
Min  
Max  
Min  
Max  
ꢀ
3.EMITTER  
1.400  
0.320  
0.360  
0.350  
4.400  
1.400  
2.300  
3.940  
1.600  
0.520  
0.560  
0.440  
4.600  
1.800  
2.600  
4.250  
0.055  
0.013  
0.014  
0.014  
0.173  
0.055  
0.091  
0.155  
0.063  
0.020  
0.022  
0.017  
0.181  
0.071  
0.102  
0.167  
A
ꢀ
b
FEATURES  
b1  
c
D
b1  
Power dissipation  
PCM : 1 W  
D1  
E
E1  
e
Ta m b = 2 5  
b
C
1.500TYP  
0.060TYP  
e
Collector current  
ICM  
2.900  
0.900  
3.100  
1.100  
0.114  
0.035  
0.122  
0.043  
e1  
L
e1  
: 0.6 A  
Collector-base voltage  
V (BR)CBO :  
Operating and storage junction temperature range  
TJ  
75 V  
Tstg : -55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS˄Tamb=25ć  
unless otherwise specified˅  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
Ic= 10­Aˈ IE=0  
Ic= 10mAˈ IB=0  
IE=10­Aˈ IC=0  
VCB=60V , IE=0  
MIN  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
75  
V
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
40  
6
V
V
0. 01  
0. 01  
­A  
­A  
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB= 3V ,  
IC=0  
hFE(1)  
VCE=10V, IC= 0.1mA  
VCE=10V, IC= 1mA  
VCE=10V, IC= 10mA  
VCE=10V, IC= 150mA  
VCE=1V, IC= 150mA  
VCE=10V, IC= 500mA  
IC=500 mA, IB= 50mA  
IC=150 mA, IB= 15mA  
IC=500 mA, IB= 50mA  
35  
50  
hFE(2)  
hFE(3)  
75  
DC current gain  
hFE(4)  
100  
50  
300  
hFE(5)  
hFE(6)  
40  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
1
V
V
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
0.3  
2.0  
1.2  
V
BE(sat)  
IC=150 mA, IB=15mA  
VCE=20V, IC= 20mA  
f=100MHz  
0.6  
Transition frequency  
Output Capacitance  
300  
MHz  
pF  
fT  
VCB=10V, IE= 0  
8
Cob  
f=1MHz  
Delay time  
Rise time  
Storage time  
Fall time  
10  
25  
nS  
nS  
nS  
nS  
td  
tr  
VCC=30V, IC=150mA  
V
BE(off)=0.5V,IB1=15mA  
CC=30V, IC=150mA  
225  
60  
tS  
tf  
V
IB1= IB2= 15mA  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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