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MMBT2369

更新时间： 2023-12-06 20:03:41

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先科 - SWST		晶体管
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5页	351K
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小信号晶体管

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MMBT2369 数据手册

MMBT2369 / MMBT2369A

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• High speed swithing

1.Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Collector Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

4.5

Collector Current Continuous

Total Device Dissipation

200

P_tot

225

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_Stg

-55 to +150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

556

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 13/04/2022 Rev: 04

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