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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2369A
MMBT2369A PDF预览

MMBT2369A

更新时间： 2024-02-05 14:02:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 200K
描述
NPN Switching Transistor

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MMBT2369A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.88
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SPEED SATURATED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
最大关闭时间（toff）：18 ns最大开启时间（吨）：12 ns
Base Number Matches：1

MMBT2369A 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
PN2369A  
MMBT2369A  
MMPQ2369  
B
E
B
E
C
B
E
B
E
C
C
C
E
C
C
C
TO-92  
C
C
C
B
SOT-23  
Mark: 1S  
B
E
SOIC-16  
NPN Switching Transistor  
This device is designed for high speed saturation switching at collector  
currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
15  
40  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
4.5  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
200  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
PN2369A  
MMBT2369A*  
MMPQ2369  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
350  
2.8  
125  
225  
1.8  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
357  
556  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
JA  
125  
240  
Each Die  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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