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MMBT2369_NL

更新时间： 2024-01-10 19:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 86K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN

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MMBT2369_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SOT-23, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.12最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHz最大关闭时间（toff）：18 ns
最大开启时间（吨）：12 nsBase Number Matches：1

MMBT2369_NL 数据手册

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February 2008  
MMBT2369 / PN2369  
NPN Switching Transistor  
•
This device is designed for high speed saturated switching at  
collector currents of 10mA to 100mA.  
•
Sourced from process 21.  
MMBT2369  
PN2369  
C
E
SOT-23  
B
TO-92  
1
Mark: 1J  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25×C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
15  
Units  
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
4.5  
V
- Continuous  
200  
mA  
mA  
°C  
ICP  
**Collector Current (Pulse)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
400  
TJ, TSTG  
-55 ~ 150  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
** Pulse Test: Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle £ 2.0%  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
°C/W  
* Device mounted on FR-4PCB 1.6” ¥ 1.6” ¥ 0.06”.  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT2369 / PN2369 Rev. 1.0.0  
www.fairchildsemi.com  
1
12345

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