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MMBT2222E

更新时间： 2024-11-19 14:55:11

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先科 - SWST		晶体管
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5页	733K
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小信号晶体管

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MMBT2222E 数据手册

MMBT2222E / MMBT2222AE

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

MMBT2222E

MMBT2222AE

MMBT2222E

MMBT2222AE

MMBT2222E

MMBT2222AE

V_CEO

V_EBO

Collector Current

I_C

P_tot

T_j

600

150

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1/ 5

Dated: 02/08/2023 Rev: 03

12 3 4 5

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