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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222AK
MMBT2222AK PDF预览

MMBT2222AK

更新时间： 2024-11-17 21:53:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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MMBT2222AK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.23最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns

MMBT2222AK 数据手册

 浏览型号MMBT2222AK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222AK的Datasheet PDF文件第3页 
February 2005  
MMBT2222AK  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
General Purpose Transistor  
Marking  
3
1PK  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
75  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
V
6
V
600  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
TSTG  
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min. Max. Units  
IC = 10µA, IE = 0  
75  
40  
6
V
V
IC = 10mA, IB = 0  
IE = 10µA, IC = 0  
VCB = 60V, IE = 0  
V
0.01  
300  
µA  
hFE  
DC Current Gain *  
VCE = 10V, IC = 0.1mA  
VCE = 10V, IC = 1mA  
CE = 10V, IC = 10mA  
CE = 10V, IC = 150mA  
35  
50  
75  
100  
40  
V
V
VCE = 10V, IC = 500mA  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter Saturation Voltage *  
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.3  
1.0  
V
V
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.6  
1.2  
2.0  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Noise Figure  
IC = 20mA, VCE = 20V, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
300  
MHz  
pF  
Cob  
NF  
8
4
I
C = 100µA, VCE = 10V  
S = 1KΩ, f = 1MHz  
dB  
R
tON  
Turn On Time  
Turn Off Time  
VCC = 30V, IC = 150mA  
BE = 0.5V, IB1 = 15mA  
35  
ns  
ns  
V
tOFF  
VCC = 30V, IC = 150mA,  
285  
I
B1 = IB2 = 15mA  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT2222AK Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

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MMBT2222AK 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT2222A-13-F DIODES

类似代替

 40V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A-TP-HF MCC

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
KST2222AMTF FAIRCHILD

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Transistor General Purpose Transistor

与MMBT2222AK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT2222AL NXP

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,600MA I(C),SOT-23
MMBT2222AL-AE3-R UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2222AL-AL3-R UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2222AL-AN3-R UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2222ALP4 DIODES

获取价格

 		40V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2222ALP4_15 DIODES

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 		40V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2222ALP4-7B DIODES

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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