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MMBT2222ALT1

更新时间： 2024-11-19 22:54:43

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	205K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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MMBT2222ALT1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT2222ALT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPN Silicon

COLLECTOR

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

2222

2222A

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Vdc

5.0

600

6.0

Vdc

600

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

MMBT2222LT1 = M1B; MMBT2222ALT1 = 1P;

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 10 mAdc, I _B= 0)

MMBT2222

V _(BR)CEO

—

Vdc

MMBT2222A

––

Collector–Base Breakdown Voltage

MMBT2222

V _(BR)CBO

—

(I _C= 10 µAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

5.0

6.0

—

V _(BR)EBO

I _CEX

—

––

Vdc

nAdc

µAdc

Collector Cutoff Current

( V _CE= 60 Vdc, I _EB(off)= 3.0Vdc)

Collector Cutoff Current

I _CBO

(V _CB= 50 Vdc, I _E= 0)

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

––

0.01

(V _CB= 60 Vdc, I _E= 0)

(V _CB= 50 Vdc, I _E= 0, T _A= 125°C)

(V _CB= 60 Vdc, I _E= 0, T _A= 125°C)

Emitter Cutoff Current

(V _EB= 3.0 Vdc, I _C= 0)

MMBT2222A

I _EBO

I _BL

—

100

nAdc

Base Cutoff Current

(V _CE= 60 Vdc, V _EB(off)= 3.0 Vdc)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

O4–1/5

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT2222LT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors
MMBT2222ALT3G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors
MMBT2222ALT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors

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MMBT2222ALT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors
MMBT2222ALT1G	COMCHIP	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
MMBT2222ALT1-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
MMBT2222ALT3	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors
MMBT2222ALT3	COMCHIP	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
MMBT2222ALT3G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors
MMBT2222ALT3G	COMCHIP	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
MMBT2222AM	CJ	获取价格	SOT-723
MMBT2222AM	BL Galaxy Electrical	获取价格	40V,0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBT2222AM3T5G	ONSEMI	获取价格	NPN General Purpose Transistor

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