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MMBT2222ALT1

更新时间： 2024-02-18 21:43:24

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AVICTEK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	40K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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MMBT2222ALT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.03
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT2222ALT1 数据手册

@vic

MMBT2222ALT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

MMBT2222ALT1 TRANSISTOR (NPN)

SOT-23

FEATURES

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM:

0.3

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

2. 4

1. 3

0.6

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 10µA, I_E=0

Ic= 10mA, I_B=0

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=70V, I_E=0

0.1

300

µA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=35V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 3V, I_C=0

H_FE(1)

V_CE=10V, I_C= 150mA

V_CE=10V, I_C= 1mA

I_C=500mA, I_B= 50mA

100

DC current gain

H_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.6

1.2

V_CE=20V, I_C= 20mA

f=100MHz

Transition frequency

300

MHz

f_T

DEVICE MARKING:

MMBT2222A = 1P

Website http://www.avictek.com

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