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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222AT
MMBT2222AT PDF预览

MMBT2222AT

更新时间： 2024-01-02 06:23:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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MMBT2222AT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222AT 数据手册

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September 2008  
MMBT2222AT  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
C
• General purpose amplifier transistor.  
• Ultra-Small Surface Mount Package for all types.  
• General purpose switching & amplification application  
E
B
Marking : A02  
SOT-523F  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
75  
Unit  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
6
V
600  
mA  
°C  
°C  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
TSTG  
-55 ~ 150  
* 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
PC  
Parameter  
Collector Power Dissipation, by RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Max  
250  
Unit  
mW  
RθJA  
500  
°C/W  
* Minimum land pad.  
Electrical Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
IC = 10μA, IE = 0  
Min.  
75  
Max.  
Unit  
V
BVCEO  
BVEBO  
ICEX  
IC = 1mA, IB = 0  
40  
V
IE = 10μA, IC = 0  
6
V
VCE = 60V, VEB(OFF) = 3V  
10  
nA  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 1V, IC = 0.1mA  
VCE = 1V, IC = 1mA  
VCE = 1V, IC = 10mA  
VCE = 1V, IC = 150mA  
35  
50  
75  
100  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.3  
1.0  
V
V
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.6  
1.2  
2.0  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Delay Time  
VCE = 20V, IC = 20mA, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
VEB = 0.5V, IC = 0, f = 1MHz  
300  
MHz  
pF  
pF  
ns  
Cob  
Cib  
td  
8
30  
10  
25  
225  
60  
VCC = 30V, IC = 150mA  
IB1 =- IB2 = 15mA  
tr  
Rise Time  
ns  
ts  
Storage Time  
ns  
tf  
Fall Time  
ns  
* DC Item are tested by Pulse Test : Pulse Width≤300us, Duty Cycle≤2%  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT2222AT Rev. 1.0.0  
www.fairchildsemi.com  
1
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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