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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222AT-7-F
MMBT2222AT-7-F PDF预览

MMBT2222AT-7-F

更新时间： 2024-11-18 04:07:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT2222AT-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：0.51Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：364910
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOT50P160X90-3N
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222AT-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: MMBT2222AT  
MMBT2222AT  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Lead-free  
Features  
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
SOT-523  
A
Complementary PNP Type Available (MMBT2907AT)  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Dim Min Max Typ  
C
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
C
B
TOP VIEW  
B
E
Mechanical Data  
¾
¾
0.50  
G
H
·
Case: SOT-523  
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
M
N
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
L
J
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
L
D
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over  
Alloy 42 leadframe).  
M
N
a
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 4): 1P  
C
0°  
8°  
¾
Ordering & Date Code Information, See Page 4  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
E
B
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
75  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
40  
V
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous  
Power Dissipation (Note 1)  
600  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
150  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
833  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead  
DS30268 Rev. 8 - 2  
1 of 4  
MMBT2222AT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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MMBT2222AT-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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