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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222AT-TP
MMBT2222AT-TP PDF预览

MMBT2222AT-TP

更新时间： 2024-11-18 05:49:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT2222AT-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.52
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222AT-TP 数据手册

 浏览型号MMBT2222AT-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222AT-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT2222AT  
Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Capable of 150mWatts of Power Dissipation  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures -55ć to 150ć  
xꢀ Collector Current: 0.6A  
NPN General  
Purpose Amplifier  
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
Marking:1P  
x
Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
SOT-523  
OFF CHARACTERISTICS  
A
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
40  
75  
Vdc  
Vdc  
D
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10PAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
C
B
6.0  
Vdc  
(IE=10PAdc, IC=0)  
Collector Cut-off Current  
(VCB=70Vdc, IE=0)  
100  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
E
B
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=35Vdc, IB=0)  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
(VEB=3Vdc, IC=0)  
H
G
J
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain*  
K
(IC=0.1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
35  
50  
75  
100  
50  
40  
DIMENSIONS  
300  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
.059  
.030  
.057  
MAX  
.067  
.033  
.069  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
VCE(sat)  
0.3  
1.0  
Vdc  
Vdc  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.035  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.000  
.028  
.004  
.010  
.000  
.70  
.100  
.25  
.100  
0.80  
.200  
.35  
VBE(sat)  
1.2  
2.0  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=20mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdec, IE=0, f=100kHz)  
300  
MHz  
pF  
Cobo  
8.0  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
(VCC=30Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=150mAdc, IB1=15mAdc)  
10  
25  
ns  
ns  
ns  
tr  
Rise Time  
ts  
Storage Time  
(VCC=30Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
225  
tf  
Fall Time  
60  
ns  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2008/01/01  
1 of 3  
123

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MMBT2222AT-TP 替代型号

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