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MMBT2222A-T1

更新时间: 2024-11-18 21:22:11
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三星 - SAMSUNG 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBT2222A-T1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.59
最大集电极电流 (IC):0.6 A基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):285 ns最大开启时间(吨):35 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

MMBT2222A-T1 数据手册

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