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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.03 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MMBT2222AT_1 | DIODES | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBT2222AT_10 | WEITRON | Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon |
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| MMBT2222AT_11 | MCC | NPN General Purpose Amplifier |
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| MMBT2222AT_15 | WINNERJOIN | NPN TRANSISTOR |
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| MMBT2222AT_2 | DIODES | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBT2222A-T1 | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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