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MMBT2222AT/R

更新时间： 2024-01-23 19:22:37

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	62K
描述
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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MMBT2222AT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.03
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT2222AT/R 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

NPN switching transistor

MMBT2222A

FEATURES

PINNING

• High current (max. 600 mA)

• Low voltage (max. 40 V).

DESCRIPTION

base

emitter

APPLICATIONS

collector

• Switching and linear amplification.

DESCRIPTION

handbook, halfpage

NPN switching transistor in a SOT23 plastic package.

PNP complement: PMBT2907A.

MARKING

TYPE NUMBER

MMBT2222A

MARKING CODE⁽¹⁾

7C*

Top view

MAM255

Note

1. * = p : Made in Hong Kong.

* = t : Made in Malaysia.

* = W : Made in China.

Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.

ORDERING INFORMATION

TYPE

PACKAGE

DESCRIPTION

plastic surface mounted package; 3 leads

NUMBER

NAME

VERSION

MMBT2222A

−

SOT23

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

V_CBOcollector-base voltage open emitter

MIN. MAX. UNIT

−

V_CEO

V_EBO

I_C

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

open base

−

open collector

−

600

800

200

250

+150

150

+150

°C

I_CM

I_BM

−

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

T_amb≤ 25 °C; note 1

−

−65

−

T_amb

−65

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

2004 Jan 16

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT2222AT_1	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT2222AT_10	WEITRON	Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon	获取价格
MMBT2222AT_11	MCC	NPN General Purpose Amplifier	获取价格
MMBT2222AT_15	WINNERJOIN	NPN TRANSISTOR	获取价格
MMBT2222AT_2	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT2222A-T1	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,	获取价格