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MMBT2222AT

更新时间： 2024-11-21 14:52:55
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 732K
描述
SOT-523

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MMBT2222AT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：35
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

MMBT2222AT 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors  
MMBT2222AT TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
SOT–523  
z Complementary to MMBT2907AT  
z Small Package  
MARKING:1P  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Unit  
V
1. BASE  
Collector-Base Voltage  
75  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
V
6
V
Collector Current  
600  
150  
833  
mA  
mW  
℃/W  
PC  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
RΘJA  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ,Tstg  
-55～+150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
Min  
75  
40  
6
Typ  
Max  
10  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO IC=10µA, IE=0  
V(BR)CEO IC=10mA, IB=0  
V(BR)EBO IE=10µA, IC=0  
V
V
ICEX  
nA  
VCE=60V,VEB(off)=3V  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE=10V, IC=0.1mA  
VCE=10V, IC=1mA  
35  
50  
DC current gain  
VCE=10V, IC=10mA  
75  
VCE=10V, IC=150mA  
VCE=10V, IC=500mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=20V,IC=20mA, f=100MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA,  
IB1=15mA  
100  
40  
300  
0.3  
1
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
1.2  
2
V
VBE(sat)  
V
Transition frequency  
fT  
300  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
8
Delay time  
Rise time  
td  
tr  
10  
ns  
ns  
V
CC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA,  
25  
IB1=15mA  
Storage time  
Fall time  
ts  
tf  
VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA  
VCC=30V, IC=150mA, IB1= IB2=15mA  
225  
60  
ns  
ns  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT2222AT/R NXP

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