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MKA06N046L

更新时间： 2024-09-17 14:53:51

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小信号金氧半電晶體

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MKA06N046L 数据手册

MKA06N046L

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Extremely low threshold voltage

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_GS

± 20

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.38

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

166

t ≤ 10 s

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

Steady State

¹⁾Pulse width ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 28/06/2021 CL Rev:01

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