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MKA10N280LKS

更新时间： 2024-11-10 14:55:43

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小信号金氧半電晶體

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MKA10N280LKS 数据手册

MKA10N280LKS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Surface-mounted package

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

100

V_GS

± 20

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 28/07/2021 CL Rev:01

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