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MKA06P7K0LK-AH

更新时间： 2024-11-07 14:52:59

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小信号金氧半電晶體

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MKA06P7K0LK-AH 数据手册

MKA06P7K0LK-AH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

•

Portable appliances

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

200

-I_DM

P_D

1.2

Power Dissipation ²⁾

500

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 22/05/2023 Rev:02

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