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MKA06P300L

更新时间: 2024-11-07 14:54:55
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先科 - SWST /
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6页 526K
描述
小信号金氧半電晶體

MKA06P300L 数据手册

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MKA06P300L  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Drain  
Features  
• Surface-mounted package  
Gate  
Source  
Applications  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
• Portable appliances  
• Battery management  
SOT-23 Plastic Package  
Absolute Maximum Ratings(at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
-VDS  
VGS  
-ID  
± 20  
V
A
2.5  
10  
Pulsed Drain Current 1)  
Power Dissipation  
-IDM  
PD  
A
0.5 2)  
W
1.3 3)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
Unit  
250 2)  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
/W  
90 3)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.  
3) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate,t 10 s.  
1 / 6  
®
Dated: 24/01/2022 Rev:02  

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